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全球半導(dǎo)體市場Q3銷售收入環(huán)比增長19.7%
第三季度全球半導(dǎo)體銷售收入環(huán)比增長19.7%，超過了預(yù)期，并且預(yù)測(cè)全年的銷售也將超過預(yù)期。半導(dǎo)體協(xié)會(huì)稱，第三季度全球半導(dǎo)體銷售收入從第二季度的517億美元增長到了619億美元。
2009-11-06
全球 半導(dǎo)體 市場 Q3 銷售增長
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多晶硅調(diào)控之下薄膜電池轉(zhuǎn)機(jī)乍現(xiàn)
隨著國家對(duì)多晶硅的低端產(chǎn)能、重復(fù)建設(shè)進(jìn)行調(diào)控的開始，薄膜電池技術(shù)本身的進(jìn)步正帶動(dòng)新一輪投資和建設(shè)的熱潮。薄膜電池在2008年全球市場的占有率是15%，預(yù)計(jì)今年有可能達(dá)到20%。
2009-11-05
多晶硅 調(diào)控 薄膜電池 轉(zhuǎn)機(jī)
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被動(dòng)元件缺貨嚴(yán)重，把握變幻市場脈搏成分銷商首要課題
上海億圣是一家歷史超過十年的電子元器件分銷商，在被動(dòng)元件的分銷上擁有較強(qiáng)的實(shí)力，目前代理的品牌包括日本Nichicon、松下電器、臺(tái)灣立隆電子、華新科技、上海貝嶺、江蘇長電、東陽光等產(chǎn)品線，被動(dòng)元件的銷售額占公司整體營業(yè)收入約63％。
2009-11-05
被動(dòng)元件 缺貨 市場脈搏 分銷商 課題
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多晶硅中國模式輪回：沖動(dòng)已過 懲罰難免到來
在2009年之前，多晶硅產(chǎn)銷市場有兩個(gè)顯著特征：第一，是以小單位的公斤計(jì)量;第二，有著超額的暴利。并且，受到國家產(chǎn)業(yè)政策和地方政府的支持。
2009-11-05
多晶硅 光伏 產(chǎn)能過剩 懲罰
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IR推出75V低側(cè)智能功率開關(guān)，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 AUIPS2051L 和AUIPS2052G 75V 低側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) ，適用于嚴(yán)苛的 24V 汽車環(huán)境，包括卡車接線盒應(yīng)用。
2009-11-05
IR 低側(cè)智能 功率開關(guān) 24V 汽車環(huán)境
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瑞薩半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)易手日立高科
株式會(huì)社瑞薩東日本半導(dǎo)體公司目前主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，日立高科則主要負(fù)責(zé)這些產(chǎn)品的全球銷售。日立高科和瑞薩一致認(rèn)為：整合管理那些與半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)的生產(chǎn)、銷售和服務(wù)開發(fā)將是最佳的可行方案。此舉不僅有利于提高對(duì)近年富于變化的市場靈活性的應(yīng)對(duì)能力、進(jìn)一步的增強(qiáng)業(yè)務(wù)水平并...
2009-11-04
日立高科 瑞薩科技 半導(dǎo)體設(shè)備
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前三季度中國電子信息產(chǎn)品出口同比下降20%
工業(yè)和信息化部近日發(fā)布的電子信息產(chǎn)業(yè)運(yùn)行分析報(bào)告顯示，前三季度中國電子信息產(chǎn)品出口3123．8億美元，同比下降20％。
2009-11-04
出口 電子產(chǎn)品 下降 中國
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電子信息業(yè)競爭日益激烈 出口不容樂觀
1-8月，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入29618億元，同比下降4.8%；前9個(gè)月,完成出口交貨值20330億元,同比下降10.6%；今年世界經(jīng)濟(jì)將下降1%以上,全球貿(mào)易將下降10%以上。
2009-11-03
電子信息制造業(yè) 電子信息產(chǎn)品 元器件
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安森美半導(dǎo)體推出新的高密度溝槽MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封裝， 為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。
2009-11-03
安森美 半導(dǎo)體 高密度 溝槽MOSFET
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